Capacitance @ Vr, F:
Current - Average Rectified (Io):
Operating Temperature - Junction:
Package / Case:
Reverse Recovery Time (trr):
Supplier Device Package:
Изображение Часть Производитель Описание Минимальный заказ Запас Действие
ESH2BHE3/5BT Vishay
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
UH2BHE3/5BT Vishay
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
ESH2BHE3/52T Vishay
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
UH2BHE3/52T Vishay
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
JANTXV1N5187 Microchip Technology
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
ESH2B R5G Taiwan Semiconductor
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
MUR110SHR5G Taiwan Semiconductor
DIODE GEN PURP 100...
1
35,000
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 7 Records