Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные

Current - Collector Cutoff (Max)：

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：

Power - Max：

Resistor - Emitter Base (R2)：

Transistor Type：

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：

Фильтр：

4 Рекорды

Часть	Производитель	Описание	Минимальный заказ		Запас	Действие
PBRN113ES,126	NXP Semiconductors	TRANS PREBIAS NP...	1	PDF	35,000 In-stock	Получить предложение
PBRN113ZS,126	NXP Semiconductors	TRANS PREBIAS NP...	1	PDF	35,000 In-stock	Получить предложение
PBRP113ES,126	NXP Semiconductors	TRANS PREBIAS PN...	1	PDF	35,000 In-stock	Получить предложение
PBRP113ZS,126	NXP Semiconductors	TRANS PREBIAS PN...	1	PDF	35,000 In-stock	Получить предложение

1 / 1 Page, 4 Records