- Производитель：
-
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
-
- FET Type：
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
-
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
-
- Operating Temperature：
-
- Power Dissipation (Max)：
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
- Supplier Device Package：
-
- Vgs(th) (Max) @ Id：
-
6 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Запас | Действие | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 |
14,417
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 400M... |
1 |
9
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
10,000 |
35,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
10,000 |
35,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
3,000 |
35,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
3,000 |
35,000
In-stock
|
Получить предложение |
