Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id:
Изображение Часть Производитель Описание Минимальный заказ Запас Действие
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
JFET N-CH 0.1W USM
1
33,878
In-stock
Получить предложение
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
JFET N-CH 0.1W USM
1
6,830
In-stock
Получить предложение
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
JFET N-CH 50V 0.1W U...
1
8,797
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 3 Records